内存条时序怎么看(内存时序是哪几个参数)

很多朋友都知道，在选择内存的时候，不仅要看频率，还要看时序，或者说延迟。也就是内存表面经常标注的，测试软件中也能看到的中间带短线的两位数。但是，要问他们到底是什么意思，相信很多朋友只能摇头。今天就来说说它们的具体含义。

计时的意义非常简单，因为访问内存数据需要几个动作，这些数字代表每个动作的延迟或反应时间。该数字表示在几个时钟周期后，如3000MHz内存，延迟22意味着需要22/3000M秒(7.3纳秒)。可能同样3600MHz的动作延迟是24，那么就需要24/3600M秒(6.6纳秒)。后者看似“延迟”很大，其实比前者更快。

那么，这些序列的具体动作是什么呢？我们最常见的时间序列主要是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，它们的含义分别是:

CL(CAS Latency):列地址访问的延迟时间，这是时序中最重要的参数；

TRCD(RAS到CAS延迟):存储器行地址传输到列地址的延迟时间；

TRP(RAS预充电时间):存储器行地址选通的cas延迟；

TRAS(RAS激活时间):行地址被激活的时间。

这里要注意内存中“行”和“列”的概念，这是一种定位方法，帮助确定内存中的模块，读写其中的数据。我们可以把内存想象成一个网格，不同的数据存储在其中。当CPU需要任何数据时，它向存储器发送指令，例如C4位置的数据。

接下来，内存首先要确定数据在哪一行，所以时序的第二个参数tRCD代表这个时间，也就是说内存控制器在收到该行的指令后，需要等待多久才能访问这一行。单靠行指令内存不可能是CPU唯一需要查找的数据，所以tRCD的值是一个估计值，也是最大值，也就是找到“最里面”的数据需要多长时间。因此，稍微更改该值不会影响内存的性能。

确定了内存中的行之后，如果要查找数据，就必须确定列。然后序列的第一个数字，也就是CL(CAS)，表示内存确定行数后的时间(时间段)，访问具体的列数需要多长时间。在确定了行数和列数之后，就可以准确的找到目标数据，所以CL是一个准确的值，所以它是时间序列中最关键的参数，任何变化都会影响内存的性能。

TRP，内存序列的第三个参数，是我们找到这个数据后，根据CPU指令找到下一个数据后，等待另一行的时间。

第四个参数tRAS可以简单理解为内存写入或读取数据的总时间，所以一般接近前两个参数的总和，即CL和tRCD。

所以在保证稳定性的前提下，相同频率的内存时序越低越好。那么，计时对记忆性能的影响有多大呢？我们来看看内存厂商自己的测试。

可以看出，内存计时的减少确实可以提高内存速度，但主要变化还是在响应时间上，而不是人们更关心的带宽。需要注意的是，厂商有更好的样品和平台，测试的时序修改比较“暴力”。小伙伴们只能在消费级主板上超频，实际修改的幅度也只是和一些相邻的两个例子差不多。很难再现从实施例1到实施例3的剧烈变化，更不用说从实施例1到实施例4了。实际操作的时候请不要贪心。