flash测试(flash中心有必要下载吗)

上一篇文章，我们讲了Flash芯片的基础知识。在本文中，我们将进一步了解闪存的存储原理。只有这样，我们才能更好地测试它。

首先，你需要了解Flash的基本操作:

读取数据从存储单元里读取数据。写入数据将存储单元的逻辑状态从“1”转变为“0”。擦除数据将存储单元的逻辑状态从“0”转变为“1”。

这些基本操作是我们日常的一些功能。我们在从USB闪存驱动器复制、写入和格式化时使用它。但是你知道这些操作在晶体管层面是什么样的状态吗？

首先，我们来看看写数据(程序)。

如下图所示，所谓程序就是将电子引入浮栅。此时，晶体管的源极将接地，漏极连接较小的电压。并且控制栅极将与更大的电压连接。此时，由于栅极和漏极的电压，从接地平面提供的电子将移动。因为栅极的电压更高，所以更倾向于栅极方向。此时电子可以通过量子隧穿或热电子注入进入浮栅。

数据写入（program）写数据(程序)

其次，我们来看看erase。

如下图所示，所谓擦除就是把电子带出浮栅。使得浮栅中没有多余的电子。可以看出，源极连接到较大的电压，而栅极连接到接地层。

数据擦除（erase）擦除数据

最后，看读数据。

此时，浮栅晶体管可被视为普通晶体管。向源极、栅极和漏极施加适当的电压。根据源漏之间的电流，可以知道浮栅中是否有电荷。

如果浮栅之中有电子，则栅极的电势会被浮栅之中的电荷所抵消或削弱。此时，源漏极之间的导电沟道就会变小，源漏极之间的电阻变大，电流变小。数据读出电路就会判定此时该存储单元内的数据为“0”。如果浮栅之中没有电子，则栅极的电势就没有被抵消或者削弱。该电势会直接作用到源漏极之间的导电沟道上。此时，导电沟道会变大，源漏极之间的电阻变小，电流变大。数据读出电路会判定此时该存储单元内的数据为“1”。

导电沟道导电通道

读出电路读出电路

综上所述，Flash的写操作本质上是浮栅中电荷的转移。Flash的写操作不是一次完成的。需要先将存储单元擦除为“1”(一般以页为单位操作，即一次擦除当前页的所有存储单元)，然后进行写操作将“0”写入其中。

在读取数据的过程中，本质是判断当前。当电流大于某一设定值时，读取电路确定存储单元为“1”，当电流小于设定值时，读取电路确定存储单元为“0”。

然而，每个单元只存储一位是不经济的。单元区存储的数据太少。因此，工程师为读出电路设计多个比较器。从而电流的测量更加精确。例如，通过设计三个比较器，可以将电流量化得更多，并且可以获得更多的数据。也变相增加了数据存储密度。这也是TLC面积不比MLC大，但能存储更多数据，价格也不高的原因。但是很明显，从使用寿命来说，肯定是SLC >:MLC & gt；薄层色谱.

增加比较器和设定不同的参考电流，就可得到更多的数据通过增加比较器和设置不同的参考电流，可以获得更多的数据。

至此，Flash的基本原理和概念都差不多了。下节课，我们会讲Flash测试相关的概念和内容。