igbt是什么驱动信号()

说到开关，大家都很熟悉，比如我们家的电灯开关，家用电器的开关等等。这些开关可以用手控制，一次打开，一次关闭。

但是，在电子电路中，各种电子元件都非常小，所以安装一个手动开关会占用很大的空空间。另外，电子电路往往涉及高频信号，也就是说通断开关的切换速度要非常快，手动控制就更不现实了。那么我们该怎么办呢？答案就在开关管里！

所谓开关管实际上是各种半导体器件，如二极管、三极管、场效应晶体管、晶闸管和IGBT等。这些半导体器件可以用作电子开关来控制电路的通断。其中，场效应晶体管(本文均简称MOS晶体管)和IGBT都是全控开关晶体管。换句话说，电路中IGBT和MOS管的导通和关断可以由触发信号控制。IGBT和MOS管有什么区别吗？显然是有的。

MOS晶体管和IGBT是常见的开关晶体管，常用于开关电源、变频器、电动车等的电路板中。它们的特性与IGBT MOS管相似，驱动方法也基本相同。在大多数情况下，它们被用作电子开关。

从管脚看，IGBT的三个管脚(前面)依次是栅极、集电极、发射极，MOS管的三个管脚(前面)依次是栅极、漏极、源极。从栅极管脚可以看出，IGBT和MOS管都属于绝缘栅型管，而IGBT的另外两个管脚“集电极和发射极”明显与三极管相同。

综上所述，我们不难发现，IGBT实际上是MOS晶体管和二极管的复合体，所以称之为绝缘栅双极晶体管，也称场效应晶体管。IGBT充分利用了场效应管和三极管的优点，具有高电压、高输入阻抗、热稳定性好、电压驱动型、大电流等优点。

从外观上看，IGBT明显比一般的MOS管大。从尺寸可知，IGBT是大功率元件，事实也正是如此。IGBT主要用于大功率环境，功率通常在千瓦以上。例如，IGBT经常出现在电磁炉和焊接机上。FET主要用于中小功率环境，如中小功率开关电源。

与MOS晶体管相比，IGBT的主要优点是能承受高电压和大功率。一般耐压在几百伏以上，功率可达几千到几十万瓦。而且在大功率环境下，IGBT的压降几乎是恒定的，可以保持在1.2-2伏左右，过载能力强，不易损坏。

FET一般用于低压中小功率环境，功率一般在1000瓦以下。在小电流环境下，用FET更有优势，因为FET内阻小，小电流时压降比IGBT低，开关速度比IGBT快。因此，一般开关电源中常采用场效应管。

综上所述，IGBT用于高压和千瓦级功率，FET用于低压和中功率环境。

另外，前面说了，MOS管和IGBT的驱动方式基本相同，这里简单介绍一下。MOS晶体管和IGBT都是压控器件，控制电极G (gate，1 pin)几乎不消耗电流，动动手指就能打开。

在两者的三个引脚中，我们可以简单地把引脚2和引脚3看成机械开关的两端，引脚1看成机械开关的拨动按钮。如何触发这个开关？简单，我们只需要给引脚1加一个正向触发电压，引脚2和引脚3就可以导通。IGBT的饱和触发电压高于MOS晶体管，约为15-18伏，但它们栅极的最高驱动电压不到20伏。

MOS管和IGBT的栅电极具有极电容效应，可以保持G极电压。换句话说，如果给栅电极施加一个短电压，即使栅电极的信号已经被去除，23针也可以保持接通。

关断IGBT和MOS管的方法也很简单，只需将G极对地放电或施加反向电压即可。原则上0V的关机电压就足够了，但一般情况下，为了安全可靠，会使用负电压关机，如-15V，-9V等。

以上是IGBT和MOS晶体管的相关内容。看到这里，你是否对两者都有了更清晰的认识？

(由技术培训网原创，作者:杨思慧，未经授权不得转载，违者必究)

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